晶振負載電容計算公式和說明
2019-04-27
晶振負載電容是分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，一般在幾十PF。它會影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度，一般客戶向我們詢問晶振時我們都會問他們所需晶振的負載電容是多少。晶振上接的一個電阻是反饋作用，使振蕩器容易起振。
晶振負載電容的取值直接關系到調(diào)頻的準確度。如果實際電路中負載電容值不夠準確，那么買來的晶振準確度就會有偏差，關于負載電容的計算方法即從晶體兩端看進去電容的總和。
計算公式：晶振的負載電容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C；式中Cd、Cg為分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容；Cic（集成電路內(nèi)部電容）；△C（PCB上電容）一般為3至5pf。
1、匹配電容：負載電容是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。一般晶振兩端所接電容是所要求的負載電容的兩倍。這樣并聯(lián)起來就接近負載電容了。
2、負載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。它是一個測試條件，也是一個使用條件。應用時一般在給出負載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負載諧振頻率和等效負載諧振電阻。
3、一般情況下，增大負載電容會使振蕩頻率下降，而減小負載電容會使振蕩頻率升高。
4、負載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。負載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。因為石英晶體振蕩器有兩個諧振頻率，一個是串聯(lián)揩振晶振的低負載電容晶振：另一個為并聯(lián)揩振晶振的高負載電容晶振。所以，標稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負載電容一至，不能冒然互換，否則會造成電器工作不正常。
